电子电路大全(PDF格式)-第102部分

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　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　图3。11。2　　　　RF2905　的引脚封装形式　　



　　


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　　　　　　　　　　　　　　　　　　　第3　章　　　　射频收发器芯片原理与应用电路设计　　　　　　　　　　　　　　　　　　　·261　·　



　　　　引脚1：RX　ENABL　，接收电路启动，在所有启动装置启动电压大于2。0V　，若小于1。0V　

时，除了PLL　装置和RE　混频器外，关闭所接收装置。　　

　　　　引脚2　：TX　ENABL，发射电路启动，启动电压大于2。0　时打开所有发射电路，启动电压　

小于1。0　时除了PLL　装置外关闭发射电路。　　

　　　　引脚3：TX　OUT，发射电路射频输出，当发射器启动时，TX　OUT　输出阻抗是低阻抗，　

当发射器停用时，输出阻抗为高阻抗。　　

　　　　引脚4　：GND2，40dB　中频放大器和TX　PA　装置的接地端。　　

　　　　引脚5：RX　　IN　，接收电路的射频输入，当接收器启动时RX　　IN　输入阻抗为低阻抗，当　

接收器停用时，RX　IN　为高阻抗。　　

　　　　引脚6　：GND1，射频接收装置的接地端。　　

　　　　引脚　7　：LNA　　OUT　，接收射频信号低噪声放大器输出，　　这个管脚为集电极开路形式，　

需要一个外部线圈提供偏移和调整LNA　输出。　　

　　　　引脚8：GND，地，同管脚4　。　　

　　　　引脚9：MIX　　IN　，射频混频器的射频输入端，在LNA　　OUT　　和MIX　　IN　之间有LC　匹配　

网络，用来连接LNA　输出到RF　混频器输入，不需要滤波器。　　

　　　　引脚10：GND5，发射器的功率放大器和接收RF　混频的接地端。　　

　　　　引脚11：MIX　OUT＋　，混频器中频输出，直接到10。7MHz　陶瓷中频滤波器的端口。　　

　　　　引脚12：MIX　OUT…，混频器中频输出。　　

　　　　引脚13：IF1　N＋　，40　分贝限制放大器的中频输入，这个输入需要一个10nF　的隔直电容。　　

　　　　引脚14：IF1　N　功能和13　脚类似，只是放大器输出端的相反外，输出端需要一个10nF　

的旁路电容直接接地。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　

　　　　引脚15：IF1　　BP＋　，40　分贝限制放大器的直流反馈点，它需要一个　10nF　的旁路电容接　

地。　　

　　　　引脚16：IF1　BP…，与引脚15　相似。　　　　

　　　　引脚17：IF1　OUT　，40dB　限制放大器的输出，IF1　OUT　的输出提供一个60dB　限制放大　

器的中频输入标称值330Ohm的输出阻抗，可以与10。7MHz　的陶瓷滤波器的直接接口。　　

　　　　引脚18：IF2　IN，60dB　限制放大器的中频输入。这个输入需要一个10nF　的隔直电容，　

IF2　IN　的输入提供一个标称值330Ohm的输出阻抗和10。7MHz　的陶瓷滤波器的直接接地。　　

　　　　引脚19：GND6　　40dB　限制放大器的接地端，应使引线尽量短以求达到最佳的工作性　

能。　　　　　　　　　　

　　　　引脚20　：VREFIF　，IF　放大器的基准电流，需要一个10nF　的电容接地。　　

　　　　引脚21　：IF2　BP＋，60dB　限制放大器的直流反馈点，需要一个10nF　的旁路电容接地。　　

　　　　引脚22　：IF1　BP…，与引脚21　相似。　　

　　　　引脚23　：MUTE　，用于减弱数据输出。MUTE　　2。0V　或MUTE　　1。0V　　转向DATA　　OUT　信　

号端。这个MUTE　信号在睡眠模式中应是低逻辑电平。　　

　　　　引脚24　：RSSI　，输出一个对应于接收信号强度的直流电压，输出范围从0。5V　到2。3V　，　

并随着信号强度的增加而增加。　　

　　　　引脚25　：FM　　OUT　，FM　解调器的线性输出端。在模拟应用中，它的信号保真度是很重　

要的。当LO　为低输入时，输出倒置；当LO　为高输入时，输出不变。　　　　



　　


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　·262　·　　　　　　　　　　　　　　　　　射频集成电路芯片原理与应用电路设计　　



　　　引脚26　：DATA　OUT　解调器的解调数据输出。这个脚的输出电平是TLL/MOS　兼容的。　

负载电阻的大小被设计为1M　或更大。　　

　　　引脚27　：DEMOD　IN　，调频解调器输入。　　

　　　引脚28　：IF2　OUT　，中频输出。　　

　　　引脚29　：VCC6　，用于提供直流偏压对第二个中频放大器；解调器和数据限幅器，一个中　

频旁路电容应与管脚直接相连并接地，10。7MHz　中频使用一个10nF　电容。　　

　　　引脚30　：RESNTR＋　，用于提供直流电压对压控振荡器，也调谐压控振荡器的频率中心，　

等值的电感应该与管脚31　相连。　　

　　　引脚31　：RESNTR…，见引脚30　。　　

　　　引脚　32：VCC2　，用于对压控振荡器，预定标器，锁相环提供直流偏压，一个射频旁路　

电容应直接连接该管脚或接地。　

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　

　　　引脚33　：GND4，压控振荡器，预定标器，锁相环地。　　

　　　引脚34　：MOD　IN　，调制输入。　　　　

　　　引脚　35　：DIV　　CTRL　，用于选择设计的预定标器的分频系数，一个逻辑高选择为　64/65　

除数，一个逻辑底选择为128/129　的除数。　　

　　　引脚36　：MOD　CTRL　，用来选择调制预定标器，一个逻辑高预定标器除数选择为64　或　

128，一个逻辑低预定标器选择为65　或129。　　

　　　引脚37　：OSC　SEL　这个管脚的逻辑高电平，接通基准振荡器2　和关闭基准振荡器1；　　逻　

辑低电平用于接通基准振荡器1　和关闭基准振荡器2　。　　

　　　引脚38　：OSC　B2，直接连接基准晶体振荡器2　。　　

　　　引脚39　：OSC　E，直接连接基准振荡器晶体管的发射极。　　

　　　引脚40　：OSC　B1，直接连接基准振荡器晶体管的基极。　　

　　　引脚41　：LOOP　FLT　充电泵的输出，输出控制压控振荡器的电压，一个接地的阻容网络　

可以用于设置锁相环的带宽。　　

　　　引脚42　：VREF　P　，对预定标器的基准电压，连接一个33uF　的电容器接地。　　

　　　引脚43　：LOCK　DET　，输出指示锁相环的锁相状态。　　

　　　引脚44　：VCC1　，LNA　混频器提供直流偏压，一个旁路射频电容接地，对915MHz　应用　

需要一个22pF　的电容，433MHz　应用需要68pF　的电容。　　

　　　引脚45　：PRESCL　OUT　，双模双分预定标器的输出。　　

　　　引脚46　：VCC3　，用来提供功率放大器直流偏压，一个RF　　旁路电容应该直接的与地相　

连，915MHZ　的应用需要22pF　的电容，433MHz　的应用需要一个68pF　的电容。　　

　　　引脚47　：LVL　ADJ　，用于改变收发器输出功率。　　

　　　引脚48　：PLL　ENABL　，PLL　使能控制。　　

　　　芯片工作原理参见RF2945　。　　



　　　3。11。4　　　　模块内部电路　　



　　　　RD0300　模块内部电路如图3。11。3　所示，印制板图如图3。11。4　所示。　　



　　


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第3　章　　　　射频收发器芯片原理与应用电路设计　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　·263　·　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　



　　


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·264　·　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　射频集成电路芯片原理与应用电路设计　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（a　）元器件布局图　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（b　）印制板元器件面　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　图3。11。4　　　　DR0300　模块印制板图　　



　　　　　　　　　



　　


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　　　　　第4　章　　　　无线通信射频前端芯片的原理　　　　　　

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　与应用电路设计　　



4。1　　　　蓝牙无线收发器芯片SiW1701　的原理与应用电路设计　　



　　　　4。1。1　　　　概述　　



　　　　SiW1701　　无线电调制解调器是　Silicon　　Wave's　　OdysseyTM　公司推出的用来解决蓝牙　

BluetoothTM无线通信的专用IC　。SiW1701　IC　包含有一个符合蓝牙规格的2。4GHz　无线电收发　

器、GFSK　调制解调器和数字控制功能电路。SiW1701　可用来与SiliconWave's　OdysseyTM公司　

SiW1750/1760　Link　Controller　（链接控制器）IC　或者其他兼容的IC　组合构成蓝牙无线通信产　

品。SiW1701　完全符合蓝牙　1。1　规格，适合2　级或3　级发射功率分类，或者有外部电路的一　

级功率分类。直接转换的无线电结构与集成的　VCO　　和频率合成器只需要很少的外部组件。　

频率范围为2　　400MHz～2　　800MHz，接收机灵敏度为…80dBm～…85　　dBm，射频输出发射功　

率为…4～＋4dBm　。集成的模拟/数字转换电路转换在无线电和GFSK　调制解调器之间的I/O　信　

号。GFSK　调制解调器包含有数字调制器、信道滤波器、AFC　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（自动频率控制）、码元时限校　

正和比特限制器。集成的0dBm　发射激励器（末级前置放大器），有8　个输出功率等级控制。　

通过数字接口可与蓝牙控制器　IC　　　　　　　　　　　　　　　　直接接口。对功耗进行了优化设计，睡眠模式电流消耗为　

7uA～90uA　。工作温度为…40°C～＋85°C　。　　

　　　　SiW1701　无线电解调器适合所有需要一个无线电连接的应用，它是应用于蓝牙无线技术、　

低功率和高性价比的方案。可应用于手持移动电话、办公电脑、笔记本电脑和打印机，PDA　

　（个人数字助理）、个人备忘记事本和多媒体设备，数字相机和游戏手柄，遥控车锁等系统中。　　



　　　　4。1。2　　　　主要技术指标　　



　　　　SiW1701　的主要技术指标如表4。1。1～表4。1。8　所示。　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　表4。1。1　　　　SiW1701　芯片使用极值　　



　　　　　　　　　　　　　　　参　　　　　　　　数　　　　　　说　　　　　　　　　明　　　　　　最　　　　小　　　最　　　　大　　　单　　　　位　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　电源电压　　

　　　　　　　　　　　　　　VCC；VDD　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　…0。5　　　　　3。6　　　　　　V　　

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　注释：除VCC_BATT　外　　



　　　　　　　　　　　　　　　　ESD　　　　　ESD　保护…模拟/射频引脚　　　　　　　　　　　500　　　　　　　　　　　　　　　V　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ESD　保护…数字引脚　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　2　000　　　　　V　　



　　　　　　　　　　　　　　　　TST　　　　　存储温度　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　…55　　　　　　＋125　　　　　℃　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　Tj　　　　　焊接温度　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　125　　　　　　℃　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　


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·266　·　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　射频集成电路芯片原理与应用电路设计　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　表4。1。2　　　　推荐使用环境　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　参　　　　数　　　　　　　　　　　　　　　　说　　　　　　　　　明　　　　　　　　　　　　最　　　　小　　　　　　最　　　　大　　　　　单　　　　位　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　TOP　　　　　　　工作温度　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　…40　　　　　　　　＋85　　　　　　　　　℃　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　VCC　　　　　　　VCC　模拟电源电压　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　2。7　　　　　　　　　3。3　　　　　　　　V　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　VDD　　　　　　　VDD　数字电源电压　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　2。7　　　　　　　　　3。3　　　　　　　　V　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　VCC_BATT　　　　　　内置电压稳压器电源　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　2。7　　　　　　　　　3。6　　　　　　　　V　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　表4。1。3　　　　电特性　　　　DC　规格（Top　=　25°C　；VDD　=　3。0　V　）　　



　　　　　　　　　　　　　参数　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　说明　　　　　　　　　　　　　　　　　　　最小　　　　　　　　　　　　　典型　　　　　　　　　　　　　最大　　　　　　　　　　　　单位　　



　　　　　　　　　　　　　VIL　　　　　　　　　　　输入低电压　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　GND…0。1　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　0。3…VDD　　　　　　　　　　V　　



　　　　　　　　　　　　　VIH　　　　　　　　　　　输入高电压　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　0。7…VDD　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　VDD　　　　　　　　　　　　V　　



　　　　　　　　　　　　　VOL　　　　　　　　　　　输出低电压　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　GND　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　0。2…VDD　　　　　　　　　　V　　



　　　　　　　　　　　　　VOH　　　　　　　　　　　输出高电压　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　0。8…VDD　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　VDD　　　　　　　　　　　　V　　



　　　　　　　　　　　　　IOH　　　　　　　　　　　输出高电流　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　1。2　　　　　　　　　　mA　　



　　　　　　　　　　　　　IOL　　　　　　　　　　　输出低电流　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　1。2　　　　　　　　　　mA　　



　　　　　　　　　IDD　　（发射）　　　　　　　　　发射期间电流消耗　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　36　　　　　　　　　　　　　55　　　　　　　　　　　mA　　



　　　　　　　　　IDD　　（接收）　　　　　　　　　接收期间电流消耗　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　42　　　　　　　　　　　　　65　　　　　　　　　　　mA　　



　　　　　　　　　　　休眠电流　　　　　　　　　　　　在VCC　和VDD　断开连接时　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　7　　　　　　　　　　　　　90　　　　　　　　　　　　uA　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　从VCC_BATT　的电流　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　表4。1。4　　　　无线电规格　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　参　　　　　　　　数　　　　　　　　　　　　　　　最　　　　　　　　小　　　　典　　　　型　最　　　　大　　单　　　　位　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　频率工作范围　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　VCO　工作范围　　2400　　　　　　　　　　　　　2480　　　　　　MHz　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　60　Ohm/　　　　　　　　　　　　　　Ohm/pF　　

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　射频输入阻抗RX　导通　　

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　1。3　pF　　　　　　　　　　　　　　　　　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　300　Ohm/　　　　　　　　　　　　　Ohm/pF　　

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　射频输入阻抗RX　关断　　

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　0。9　pF　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　600　Ohm/　　　　　　　　　　　　　Ohm/pF　　

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　射频输出阻抗TX　导通和TX　关断　　

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　0。4　pF　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　表4。1。5　　　　接收机规格（在芯片输入射频；Top　=　25°C；　VCC　=　3。0　V）　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　参　　　　　　　　数　　　　　　　　　　　　　　说　　　　　　　　　明　　　　最　　　　小　典　　　　型　最　　　　大　单　　　　位　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　接收机灵敏度　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　BER