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电子电路大全(PDF格式)-第52部分
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单位增益带宽 》10MHz 输出信号 单端输出
表 11…2 折叠共源共栅运算放大器相关指标的计算步骤
步骤 关系/要求 设计公式/约束条件 注释
1 摆率 I 3 =SR *CL —
输出共源共
避免共源共栅的
2 栅的偏置电 I 4 =I5 =1。2I3 ~1。5I3
零电流
流
V (饱和)=
2I 2I SD 5
S = 5 S = 7
5 ' 2 7 ' 2
最大输出电 K V K V
P SD 5 P SD 7 V (饱和)=
SD 7
3 压 vout (最 假设 S =S =S 及
4 14 5 V …V
大) DD out max
2
S =S =S
13 6 7
2I
11
S =
11 ' 2
K V
N SD 11 V (饱和)=
SD 9
最小输出电
2I
S9 = ' 92 V (饱和)=
SD 11
4 压 v (最 K V
out N SD 9
小) V …| V |
假设 S =S 及 out min SS
10 11
2
S =S
8 9
R =V (饱和)/ I
自偏置共源 1 DS 13 12
5 —
共栅
R =V (饱和)/ I
2 DS 8 6
GB =g / C g 2 2 2
GB C
m1 m1 L
= = =
6 S S —
1 2 ' '
K I K I
N 3 N 3
2I
S = 3
3
7 最小输入CM ' I 3 2 —
' '
K V …V …V
N in min SS ' T 1
K S
N 1
132
…………………………………………………………Page 581……………………………………………………………
2I S4 和 S5 必须满
8 最大输入CM S4 =S5 = ' 4 2
KP (V DD …Vin max +VT 1 ) 足或超过第三步
的要求
差模电压增 vout gm1 gm 2 2 +k
9 =( + )RII =( )gm 1RII —
益 2 2(1 ) 2 2
v +k + k
in
10 功耗 P =(V …V )(I +I +I +I ) —
diss DD SS 3 10 11 12
手算过程:
根据上表的方法,可以得到下面的结果:
I =SR ×C =10×106 ×10…11 =100uA
3 L
选择I4=I5=125uA
下一步,我们看到 0。5'VDD…Vout(最大)'的值是(0。5V)/2 或 0。25V,于是:
× uA × ×
2 125 2 125 16
= = = = =80
S S S
4 5 14 2 2
50uA / V ×(0。25V) 50
假设M6 和M7 电流处于最坏情况,得出:
× uA × ×
2 125 2 125 16
= = = = =80
S S S
6 7 13 2 2
50uA / V ×(0。25V) 50
' '
0。5 V (最小)-V
out SS 的值也是 0。25V,可以得出S8、S9、S10 和S11 的值为:
2 ×I 2 ×125uA
= = = = 8 =36。36
S S S S
8 9 10 11 2 2 2
K ' V 8 110uA / V ×(0。25V)
N DS
R1 和R2 的值等于 0。25V/125uA或 2kΩ。在第六步中,由GB的值得出S1 和S2 为:
2 2 6 2 …11 2
GB ×C 20 ×10 10
= = L = ( π ) ( ) =35。9
S S
1 2 K 'I 110 10…6 100 10…6
× × ×
N 3
最小输入共模电压定义S3 为:
133
…………………………………………………………Page 582……………………………………………………………
2I
3
S =
3 I 3 1/ 2 2
' ( ) …( )
K Vin 最小 V V 1
N SS ' T
K S
N 1
200 ×10…6
= =91。6
2
…6 100 1/ 2
110×10 …1。5 +2。5 …0。75
110×35。9
我们必须检查S4 和S5 是否足够大以满足最大输入共模电压。2。5 的最大输入共模电压
要求:
2I
S S 4
= ≥
4 5 2
K 'V Vin V '
'× (最大) +
P DD T 1
2 ×125uA
= =10。2
50 ×10…6 uA / V 2 (0。7V)2
此值远小于 80。实际上,当S4=S5=80 时,最大输入共模电压是 3V。最后,得出S12
为:
125
S = S =114。53
12 3
100
功耗是:
( )
P =5V 125uA +125uA +125uA =1。875mW
diss
小信号电压增益需要用以下的值来估算:
S4,S5,S13,S14:g m = 2 ×125×50 ×80 =1000uS 和
g ds =125×10…6 ×0。05 =6。25uS
S6,S7:g m = 2 ×75 ×50 ×80 =774。6uS 和g ds =75 ×10…6 ×0。05 =3。75uS
g m = 2 ×75 ×110×36。36 =774。6uS
S8,S9,S10,S11:
g ds =75 ×10…6 ×0。04 =3uS
和
S1,S2:g mI = 2 ×50 ×110×35。9 =628uS 和 g ds =50 ×10…6 ×0。04 =2uS
于是得出:
1 1
R9 ≈g m9 Rds 9 Rds 11 =(774。6uS ) =86。07MΩ
3uS 3uS
134
…………………………………………………………Page 583……………………………………………………………
1 1 1
R ≈(86。07MΩ) (774。6uS ) =19。04MΩ
3。75uS 2uS 6。25uS
R9 (g ds 2 +g ds 4 ) 86。07MΩ(2uS +6。25uS )(3。75uS )
k = = =3。4375
g m 7 rds 7 774。6uS
小信号、差模输入电压增益是:
2 +k 2 +3。4375 …3 …6
Avd =( )g mI R =( )0。628 ×10 ×19。40 ×10 =7464V / V
2 +2k 2 ×4。4375
该增益大于指标的要求,但这应该是允许的。
用共源共栅结构的运算放大器可以使设计者优化二阶性能指标,这一点在传统的两级
运算放大器中是不可能的。特别是共源共栅技术对提高增益、增加PSRR值和在输出端允许
自补偿是有用的。这种灵活性允许在CMOS工艺中发展高性能无缓冲运算放大器。目前,这
样的放大器已被广泛用于无线电通信的集成电路中。
13。4 折叠共源共栅运算放大器的仿真
在现代IC的设计过程中,电路的计算机仿真起着重要的作用。通过我们对上面电路的
分析及介绍,随着人们对半导体器件工作过程的本质认识,己经建立起了对电路工作过程
模拟的越来越精确的模型。与特定工艺提供的仿真模型参数相结合,使得电路仿真结果愈
来愈与实际芯片的最后测量参数值相符合,这就大大节约了芯片的设计、制造成本,为现
代IC 设计的快速、方便、精确提供了一条捷径。
EX 11。1 CASCODE OP AMPS
。option post=2 numdgt=7 tnom=27
*VIN+ 1 0 DC 0 pwl(0 …1 10n …1 20n 1 1u 1 1。01u …1 2u …1 2。01u …。1 3u …。1
3。01u 。1
*+4u 。1 4。01u …。1 5u …。1)
VIN+ 1 0 DC 0 ac 1
VNI 2 0 dc 0 ac 0
VDD 3 0 DC 2。5
VSS 0 4 DC 2。5
CL 5 0 10PF
X1 1 2 3 4 5 OPAMP
。SUBCKT OPAMP 1 2 3 4 5
m1 8 1 6 4 NMOSl l=1u w=35。9u
m2 9 2 6 4 NMOSl l=1u w=35。9u
m3 6 7 4 4 NMOSl l=1u w=91。6u
m4 8 11 3 3 PMOSl l=1u w=80u
m5 9 11 3 3 PMOSl l=1u w=80u
135
…………………………………………………………Page 584……………………………………………………………
m6 13 12 8 8 PMOSl l=1u w=80u
m7 5 12 9 9 PMOSl l=1u w=80u
m8 14 13 15 4 NMOSl l=1u w=36。36u
m9 5 13 16 4 NMOSl l=1u w=36。36u
m10 15 14 4 4 NMOSl l=1u w=36。36u
m11 16 14 4 4 NMOSl l=1u w=36。36u
m12 12 7 4 4 NMOSl l=1u w=114。53u
m13 11 12 10 10 PMOSl l=1u w=80u
m14 10 11 3 3 PMOSl l=1u w=80u
R1 11 12 2K
R2 13 14 2K
VBIAS 7 0 …1。6
。MODEL NMOSl NMOS VTO=0。70 KP=110U GAMMA=0。4 LAMBDA=0。04 PHI=0。7
+MJ=0。5 MJSW=0。38 CGBO=700P CGSO=220P CGDO=220P CJ=770U CJSW=380P
+LD=0。016U TOX=14N
。MODEL PMOSl PMOS VTO=…0。7 KP=50U GAMMA=0。57 LAMBDA=0。05 PHI=0。8
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