电子电路大全(PDF格式)-第58部分

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Step　19：　　　点击“Ok　”确认。　　



　　



Step　20：　　“Zterm…ldc”　　窗口显示如下。　　



204　　　　


…………………………………………………………Page　653……………………………………………………………

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　



Step　21：　　在窗口末端，你能发现象如下的文本，意味着这两个网表一致。　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　205　　


…………………………………………………………Page　654……………………………………………………………

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　



Step　22：　　　关闭窗口。　　



　　



如果时间允许，我建议你按如下步骤故意产生错误。为了数据安全，我们将保存版图为另　



一个文件。　　



　　



Step　23：　　　打开“INV1。inv。layout”版图单元。　　



　　



Step　24：　　　鼠标左击菜单　　Design－》Save　As。　　



　　



Step　25：　　用如下信息填写对话框。　　



Library：　INV1　　



Cell：　invlvsok　　



View：　layout　　



　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　Step　26：　　　点击“Ok　”确认另存为对话框。　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　Step　27：　　在　　　“INV1。inv。layout”　　　版图单元窗口中，点击　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　“gpo。dwg”　　层，按下　Del　键删除此层，版图单元显示如下。　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　Step　28：　　保存版图单元。　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　Step　29：　　　按上面的步骤运行　LVS　。　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　Step　30：　　　点击“Ok　”确认“Zterm…ldc”窗口。　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　Step　31：　　　鼠标左击菜单Verify…》LVS　　Debugger。　　LDX　　窗体　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　显示如下。　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　Step　32：　　键入“lvsprt。lvs”　　到错误文件中，前缀“lvsprt。lvs”　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　在“inv。lvs”　文件中定义的地方，正好是“PRINTFILE　　　=　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　lvsprt”。　　你也能按你所要的设置。　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　Step　33：　　在　LDX　窗口中鼠标左击　Load　button　。　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　Step　34：　　有　2　　个不匹配的目标。　　



206　　　　


…………………………………………………………Page　655……………………………………………………………

Step　35：　　双击第一条。相关信息显示如下。　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　

Step　36：　　在“Schematic　　Node”和“Layout　　Node”　中节点　　“5”处单击鼠标中键　　（Middle　　Mouse　　



Button）　　，菜单弹处。在菜单中选择“Show　Node”　，分别从电路图单元和版图单元中提取电　



路拓扑图如下。　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　207　　


…………………………………………………………Page　656……………………………………………………………

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　



Step　37：　　左边的电路拓扑图是从电路图单元中提取，右边的从版图单元中提取。比较这两　



个拓扑图，　　你能明显的看到右边的拓扑中　NMOS　　丢失了，因为连接　PMOS　和　NOMS　　栅　



极的连线丢失了。　　



　　　　　　　　　同时，　　版图单元窗中顶层显示本版图单元中的错误标志。　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　

Step　38：　　在“Schematic　　Node”　　和　　“Layout　　Node”　中鼠标中击节点“5”　，从弹出菜单中选择　



“Show　Error”　　　电路图和版图单元自动打开，错误标记清晰的添加到每个单元中。　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　



　　



　　　　　　　　在这个部分，我们学会怎么以交互的模式运行　ZeniLVS。　　在　LVS　　的编译器－LDX　的帮　



助下，我们清楚的发现了版图的错误。　　



208　　　　


…………………………………………………………Page　657……………………………………………………………

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　附录　　



　　　　　　　　　　　0。6um　双阱　CMOS　工艺　BSIM3v3　模型参数（2P2M）　　



*model　=　bsim3　　



*NewModel　=　　　3　　



*Cadence　patibility　Mode　　



*These　are　BSIM3v3　Model　Parameters　　



*LotName=LOT_NAME　UserName=USER　Date=04…22…2002　　



　　



。Lib　TT　　



　　



。model　CMOSN　NMOS（　　



＋Level=　　　　　　　　49　　　



*　GENERAL　PARAMETERS　　



＋lmin=0。6e…6　lmax=20e…6　wmin=0。8e…6　wmax=20。0e…6　　



＋Tnom=25。0　version　=　3。1　Tox=　1。25000E…08　Xj=　2。5000000E…07　　　



＋Nch=　1。2721000E＋17　lln=　1。0295000　lwn=　1。0000000　　



＋wln=　0。9340000　wwn=　2。0000000　lint=　1。5200000E…07　ll=　…3。5900000E…14　　　



＋wint=　2。0200001E…07　wl=　…9。4300000E…14　ww=　…5。1700000E…20　　　



＋Mobmod=　　1　binunit=　2　Dwg=　…2。2914280E…08　Dwb=　1。3746710E…08　　　



*　DIODE　PARAMETERS　　



＋ldif=0。00　hdif=6E…7　rsh=　0　rd=　0　rs=　0　rsc=　0　rdc=　0　　



*　THRESHOLD　VOLTAGE　PARAMETERS　　



＋Vth0=　0。7278545　K1=　0。7409649　K2=　…1。5283380E…02　K3=　7。1778210　　　



＋Dvt0=　14。8549000　Dvt1=　1。0209540　Dvt2=　…4。6828460E…02　　　



＋Dvt0w=　…8。0227880E…02　Dvt1w=　8。8635700E＋04　Dvt2w=　0。1900000　　　



＋Nlx=　0。00　W0=　1。3573220E…06　K3b=　…4。7786870　　　



*　MOBILITY　PARAMETERS　　



＋Vsat=　7。7711460E＋04　Ua=　…7。4628200E…10　Ub=　2。6335220E…18　　　



＋Uc=　3。5986350E…11　Rdsw=　1。8026500E＋03　Prwb=　1。9065101E…02　　　



＋Prwg=　…3。4200580E…02　Wr=　0。9613520　U0=　4。2603870E…02　A0=　0。4940039　　　



＋Keta=　…1。6965831E…02　A1=　0。00　A2=　0。9900000　Ags=　1。9959440E…02　　　



＋B0=　8。6096910E…08　B1=　…4。3232750E…07　　　



*　SUBTHRESHOLD　CURRENT　PARAMETERS　　



＋Voff=　…9。6102280E…02　NFactor=　1。0989590　Cit=　2。3121500E…04　　　



＋Cdsc=　4。8599650E…03　Cdscb=　9。1149930E…04　Cdscd=　0。00　　　



＋Eta0=　6。2591110E…03　Etab=　…1。1673500E…02　Dsub=　0。2718996　　　

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　209　　


…………………………………………………………Page　658……………………………………………………………

*　ROUT　PARAMETERS　　



＋Pclm=　0。6415634　Pdiblc1=　9。6421800E…03　Pdiblc2=　1。5307820E…03　　　



＋Pdiblcb=　…0。1822976　Drout=　0。1000000　Pscbe1=　2。7371760E＋08　　　



＋Pscbe2=　4。6373430E…06　Pvag=　0。00　Delta=　1。0000000E…02　　　



＋Alpha0=　0。00　Beta0=　30。0000000　　　



*　TEMPERATURE　EFFECTS　PARAMETERS　　



＋kt1=　…0。3333333　kt2=　…2。6930001E…02　At=　1。2000000E＋04　　　



＋Ute=　…1。6454999　Ua1=　1。1130000E…09　Ub1=　…1。0460000E…18　　　



＋Uc1=　…6。6220000E…12　Kt1l=　0。00　Prt=　8。4800000E＋02　　　



*　CAPACITANCE　PARAMETERS　　



＋Cj=　4。350548E…04　Mj=　。4223898　Pb=　。9590048　Cjsw=　3。648853E…10　　　



＋Mjsw=　。1671139　Php=　。5406927　Cta=　0　Ctp=　0　Pta=　0　Ptp=　0　　　



＋JS=1。00E…14　JSW=0。00　N=1。0　Xti=3。0　Cgdo=2。0E…10　Cgso=2。0E…10　　



＋Cgbo=1。0E…13　Capmod=　2　NQSMOD=　0　Elm=　5　Xpart=　0　　



＋cgsl=　2。0000000E…10　cgdl=　2。0000000E…10　ckappa=　1。9920000　　　



＋cf=　0。00　clc=　8。0259140E…09　cle=　2。0475841　Dlc=　1。5184E…07　　



＋Dwc=　2。015E…07）　　



　　



。model　CMOSP　PMOS（　　



＋Level=　　　　　　　　49　　　



*　GENERAL　PARAMETERS　　



＋lmin=0。6e…6　lmax=20e…6　wmin=0。8e…6　wmax=20。0e…6　　



＋Tnom=25。0　version　=　3。1　Tox=　1。30000E…08　Xj=　3。0000001E…07　　　



＋Nch=　2。5099999E＋16　lln=　0。2000000　lwn=　1。0000000　　



＋wln=　1。0660000　wwn=　2。0000000　　



＋lint=　…1。3000000E…09　ll=　…1。3500000E…10　lwl=　1。4900000E…15　　　



＋wint=　2。3999999E…07　wl=　5。5000000E…15　ww=　…8。2200000E…20　　　



＋Mobmod=　　1　binunit=　2　Dwg=　…2。9800001E…08　Dwb=　2。0800000E…08　　　



*　DIODE　PARAMETERS　　



＋ldif=0。00　hdif=6E…7　rsh=　0　rd=　0　rs=　0　rsc=　0　rdc=　0　　



*　THRESHOLD　VOLTAGE　PARAMETERS　　



＋Vth0=　…1。0168999　K1=　0。4355000　K2=　1。2700000E…02　K3=　11。1944000　　　



＋Dvt0=　6。4793000　Dvt1=　0。9395000　Dvt2=　8。7300000E…03　Dvt0w=　　



3。7900000E…02　　　



＋Dvt1w=　0。00　Dvt2w=　0。1900000　Nlx=　0。00　W0=　2。9399999E…07　　　



＋K3b=　…2。3515999　　　



*　MOBILITY　PARAMETERS　　



＋Vsat=　9。4300000E＋04　Ua=　1。9199999E…09　Ub=　7。7500000E…19　　　



＋Uc=　…5。0000000E…11　Rdsw=　3。3300000E＋03　Prwb=　9。9200000E…02　　　

210　　　　


…………………………………………………………Page　659……………………………………………………………

＋Prwg=　…3。7100000E…02　Wr=　0。9804000　U0=　1。9200001E…02　A0=　0。2612000　　　



＋Keta=　…1。4800000E…02　A1=　0。00　A2=　0。4000000　Ags=　2。0000000E…02　　　



＋B0=　3。1600001E…07　B1=　…3。0300001E…07　　　



*　SUBTHRESHOLD　CURRENT　PARAMETERS　　



＋Voff=　…0。1054000　NFactor=　0。8294000　Cit=　9。8500000E…04　　　



＋Cdsc=　1。0000000E…10　Cdscb=　0。00　Cdscd=　0。00　Eta0=　0。1185000　　　



＋Etab=　…3。2900000E…03　Dsub=　0。5157000　　　



*　ROUT　PARAMETERS　　



＋Pclm=　2。9535999　Pdiblc1=　1。0000000E…05　Pdiblc2=　1。2900000E…03　　　



＋Pdiblcb=　0。1900000　Drout=　3。0000000　Pscbe1=　3。7000000E＋08　　　



＋Pscbe2=　1。0000000E…10　Pvag=　1。0000000　Delta=　1。0000000E…02　　　



＋Alpha0=　0。00　Beta0=　30。0000000　　　



*　TEMPERATURE　EFFECTS　PARAMETERS　　



＋kt1=　…0。4763000　kt2=　…2。9050000E…02　At=　1。0000000E＋04　Ute=　…1。0000000　　　



＋Ua1=　3。7500000E…09　Ub1=　…7。1500000E…18　Uc1=　…5。0833000E…11　　　



＋Kt1l=　0。00　Prt=　…8。8300000E＋02　　　



*　CAPACITANCE　PARAMETERS　　



＋Cj=　8。208121E…04　Mj=　。5198076　Pb=　。9180865　Cjsw=　4。107676E…10　　　



＋Mjsw=　。2586436　Php=　。6054589　Cta=　0　Ctp=　0　Pta=　0　Ptp=　0　JS=1。00E…04　　



＋JSW=0。00　N=1。0　Xti=3。0　Cgdo=1。0E…10　Cgso=1。0E…10　Cgbo=1。0E…13　　



＋Capmod=　2　NQSMOD=　0　Elm=　5　Xpart=　0　cgsl=　1。0000000E…10　　　



＋cgdl=　9。9592000E…11　ckappa=　1。0000000　cf=　0。00　clc=　5。0018750E…08　　　



＋cle=　0。8024064　Dlc=　…1。421085E…14　Dwc=　2。304E…07）　　



******************************************************　　



*********　　subcircuit　　　******************************　　



*****************************************************　　



。SUBCKT　CMOSN　D　G　S　B　PARAMS：　L=0。6U　W=0。8U　　　



　　MN1　D　G　S　B　CMOSN　L=L　W=W　AD='W*1。8*1e…6'　　AS='W*1。8*1e…6'　　



PS='（W＋1。8*1e…6）*2'　PD='（W＋1。8*1e…6）*2'　　　



。ENDS　　



*　　



。SUBCKT　CMOSP　D　G　S　B　PARAMS：　L=0。6U　W=0。8U　　　



　　MP1　D　G　S　B　CMOSP　L=L　W=W　AD='W*1。8*1e…6'　　AS='W*1。8*1e…6'　　



PS='（W＋1。8*1e…6）*2'　PD='（W＋1。8*1e…6）*2'　　　



。ends　　



　　



****************************************************　　



****************************************************　　



。Endl　TT　　

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　211　　


…………………………………………………………Page　660……………………………………………………………

MOSIS　0。25um　　



MOSIS　Parametric　Test　Results　　



http：//mosis。org/　　



RUN：　T02D　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　VENDOR：　TSMC　　

TECHNOLOGY：　SCN025　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　FEATURE　SIZE：　0。25　microns　　

　　

INTRODUCTION：　This　report　contains　the　lot　average　results　obtained　by　MOSIS　from　　

measurements　of　MOSIS　test　structures　on　each　wafer　of　this　fabrication　lot。　SPICE　　

parameters　obtained　from　similar　measurements　on　a　selected　wafer　are　also　attached。　　

　　

MENTS：　TSMC　0251P5M。　　



　　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　



　　



0。25μm　BSIM3v3。1　NMOS　Parameters　　



。MODEL　CMOSN　NMOS　（　LEVEL　=　49　　



＋VERSION　=　3。1　TNOM　=　27　TOX　=　5。7E…9　　



＋XJ　=　1E…7　NCH　=　2。3549E17　VTH0　=　0。4273342　　



＋K1　=　0。3922983　K2　=　0。0185825　K3　=　1E…3　　



＋K3B　=　2。0947677　W0　=　2。171779E…7　NLX　=　1。919758E…7　　



＋DVT0W　=　0　DVT1W　=　0　DVT2W　=　0　　



＋DVT0　=　7。137212E…3　DVT1　=　6。066487E…3　DVT2　=　…0。3025397　　



＋U0　=　403。1776038　UA　=　…3。60743E…12　UB　=　1。323051E…18　　



＋UC　=　2。575123E…11　VSAT　=　1。616298E5　A0　=　1。4626549　　



212　　　　


…………………………………………………………Page　661……………………………………………………………

＋AGS　=　0。3136349　B0　=　3。080869E…8　B1　=　…1E…7　　



＋KETA　=　5。462411E…3　A1　=　4。653219E…4　A2　=　0。6191129　　



＋RDSW　=　345。624986　PRWG　=　0。3183394　PRWB　=　…0。1441065　　



＋WR　=　1　WINT　=　8。107812E…9　LINT　=　3。375523E…9　　



＋XL　=　3E…8　XW　=　0　DWG　=　6。420502E…10　　



＋DWB　=　1。042094E…8　VOFF　=　…0。1083577　NFACTOR　=　1。1884386　　



＋CIT　=　0　CDSC　=　2。4E…4　CDSCD　=　0　　



＋CDSCB　=　0　ETA0　=　4。914545E…3　ETAB　=　4。215338E…4　　



＋DSUB　=　0。0313287　PCLM　=　1。2088426　PDIBLC1　=　0。7240447　　



＋PDIBLC2　=　5。120303E…3　PDIBLCB　=　…0。0443076　DROUT　=　0。7752992　　



＋PSCBE1　=　4。451333E8　PSCBE2　=　5E…10　PVAG　=　0。2068286　　



＋DELTA　=　0。01　MOBMOD　=　1　PRT　=　0　　



＋UTE　=　…1。5　KT1　=　…0。11　KT1L　=　0　　



＋KT2　=　0。022　UA1　=　4。31E…9　UB1　=　…7。61E…18　　



＋UC1　=　…5。6E…11　AT　=　3。3E4　WL　=　0　　



＋WLN　=　1　WW　=　…1。22182E…16　WWN　=　1。2127　　



＋WWL　=　0　LL　=　0　LLN　=　1　　



＋LW　=　0　LWN　=　1　LWL　=　0　　



＋CAPMOD　=　2　XPART　=　0。4　CGDO　=　6。33E…10　　



＋CGSO　=　6。33E…10　CGBO　=　1E…11　CJ　=　1。766171E…3　　



＋PB　=　0。9577677　MJ　=　0。4579102　CJSW　=　3。931544E…10　　



＋PBSW　=　0。99　MJSW　=　0。2722644　CF　=　0　　



＋PVTH0　=　…2。126483E…3　PRDSW　=　…24。2435379　PK2　=　…4。788094E…4　　



＋WKETA　=　1。430792E…3　LKETA　=　…6。548592E…3　）　　



0。25μm　BSIM3v3。1　PMOS　Parameters　　



MODEL　CMOSP　PMOS　（　LEVEL　=　49　　



＋VERSION　=　3。1　TNOM　=　27　TOX　=　5。7E…9　　



＋XJ　=　1E…7　NCH　=　4。1589E17　VTH0　=　…0。6193382　　



＋K1　=　0。5275326　K2　=　0。0281819　K3　=　0　　



＋K3B　=　11。249555　W0　=　1E…6　NLX　=　1E…9　　



＋DVT0W　=　0　DVT1W　=　0　DVT2W　=　0　　



＋DVT0　=　3。1920483　DVT1　=　0。4901788　DVT2　=　…0。0295257　　



＋U0　=　185。1288894　UA　=　3。40616E…9　UB　=　3。640498E…20　　



＋UC　=　…6。35238E…11　VSAT　=　1。975064E5　A0　=　0。4156696　　



＋AGS　=　0。0702036　B0　=　3。111154E…6　B1　=　5E…6　　



＋KETA　=　0。0253118　A1　=　2。421043E…4　A2　=　0。6754231　　



＋RDSW　=　866。896668　PRWG　=　0。0362726　PRWB　=　…0。293946　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　213　　


…………………………………………………………Page　662……………………………………………………………

＋WR　=　1　WINT　=　6。519911E…9　LINT　=　2。210804E…8　　



＋XL　=　3E…8　XW　=　0　DWG　=　…2。423118E…8　　



＋DWB　=　3。052612E…8　VOFF　=　…0。1161062　NFACTOR　=　1。2546896　　



＋CIT　=　0　CDSC　=　2。4E…4　CDSCD　=　0　　



＋CDSCB　=　0　ETA0　=　0。7241245　ETAB　=　…0。3675267　　



＋DSUB　=　1。1734643　PCLM　=　1。0837457　PDIBLC1　=　9。608442E…4　　



＋PDIBLC2　=　0。0176785　PDIBLCB　=　…9。605935E…4　DROUT　=　0。0735541　　



＋PSCBE1　=　1。579442E10　PSCBE2　=　6。707105E…9　PVAG　=　0。0409261　　



＋DELTA　=　0。01　MOBMOD　=　1　PRT　=　0　　



＋UTE　=　…1。5　KT1　=　…0。11　KT1L　=　0　　



＋KT2　=　0。022　UA1　=　4。31E…9　UB1　=　…7。61E…18　　



＋UC1　=　…5。6E…11