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电子电路大全(PDF格式)-第79部分
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引脚 19：OAN，运算放大器（OA ）负极输入。
引脚 20 ：OAP，运算放大器（OA ）正极输入。OAN 和 OAP 之间的输入电压限制在大
约 0。7VPP 。
引脚 21 ：RSSI ，RSSI 输出，输出阻抗约 36 kOhm。
引脚 23 ：OUTP，FSK/FM 正输出，输出阻抗 100 kOhm～300 kOhm。
引脚 24 ：OUTN，FSK/FM 正输出，输出阻抗 100 kOhm～300 kOhm。
引脚 26 ：RO ，基准振荡器输入，外接晶体振荡器和电容。
引脚 28 ：ENRX ，模式控制输入。
引脚 29 ：LF ，充电泵输出和压控振荡器 1 （VCO1 ）控制输入。
2。3。4 内部结构与工作原理
TH71101 内部结构框图如图2。3。2 所示。芯片内包含低噪声放大器（LNA ）、两级混频器
（
MIX1；MIX2 ）、锁相环合成器（PLL Synthesizer ）、基准晶体振荡器（RO ）、充电泵（CP ）、
中频放大器（IFA ）、相频检波器（PFD ）等电路。
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·108 · 射频集成电路芯片原理与应用电路设计
图2。3。2 TH71101 内部结构方框图
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第2 章 射频接收器芯片原理与应用电路设计 ·109 ·
低噪声放大器（LNA ）是一个为高灵敏度的接收射频信号的共发…共基放大器。混频器 1
（MIX1 ）将射频信号下变频到中频 1 （IF1 ），混频器2 （MIX2 ）将中频信号 1 下变频到中频
信号 2 （IF2 ）；中频放大器（IFA ）放大中频信号 2 和限幅中频信号并产生 RSSI 信号。相位
重合解调器和混频器 3 解调中频信号。运算放大器（OA ）进行数据限幅、滤波和ASK 检测。
锁相环合成器（PLL Synthesizer ）由压控振荡器（VCO1 ）、反馈式分频器（DIV16 和 DIV2 ）、
基准晶体振荡器（RO ）、相频检波器（PFD ）、充电泵（CP ）等电路组成，产生第 1 级和第 2
级本振信号 LO1 和 LO2 。
使用 TH71101 接收器芯片可以组成不同的电路结构，以满足不同的需求。对于 FSK/FM
接收，在相位重合解调器中使用 IF 谐振回路，谐振回路可由陶瓷谐振器或者 LC 谐振回路组
成。在 ASK 结构时，RSSI 信号馈送到 ASK 检波器，ASK 检波器由 OA 组成。
TH71101 采用两级下变频，MIX1 和 MIX2 由芯片内部的本振信号LO1 和 LO2 驱动，与
射频前端滤波器共同实现一个高的镜像抑制。有效的射频前端滤波是在 LNA 的前端使用
SAW、陶瓷或者LC 滤波器；在 LNA 的输出使用LC 滤波器。
基准频率 REF 、本振频率LD 、中频 IF 与 RF 镜像抑制的关系如表 2。3。2 所示。
表2。3。2 基准频率REF、本振频率LO、中频IF 与RF 镜像抑制的关系
注入类型 低端 高端
REF （RF…IF）/16 （RF＋IF）/16
LO 16×REF 16×REF
IF RF…LO LO…RF
RF 镜像 RF…2IF RE＋2IF
表2。3。3 在IF=10。7MHz 时，基准频率REF、本振频率LO 与RF 镜像抑制的关系
RF=315MHz RF=315MHz RF=433。6MHz RF=433。6MHz
参数
低端 高端 低端 高端
REF/MHz 19。01875 20。35625 26。43125 27。76875
LO/MHz 304。3 325。7 422。9 444。3
RE 镜像/MHz 293。6 336。4 412。2 455。0
2。3。5 应用电路设计
TH71101 的应用电路包括FSK； FM； ASK 接收电路。FSK 接收电路见图 2。3。3 （a ），其元
器件布局与印制板图见图 2。3。3 （b ），其元器件参数见表2。3。4 ；FM 接收电路见图 2。3。4 （a ），
其元器件布局与印制板图见图 2。3。4 （b ），其元器件参数见表2。3。5 ；ASK 接收电路见图 2。3。5
（a ），其元器件布局印制板图见图2。3。5 （b ），其元器件参数见表2。3。6 。
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·110 · 射频集成电路芯片原理与应用电路设计
图2。3。3 （a ） FSK 接收电路
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第2 章 射频接收器芯片原理与应用电路设计 ·111 ·
图2。3。3 （b ） FSK 元器件布局与印制板图
表2。3。4 FSK 接收电器元器件参数
数值 数值
符 号 尺 寸 误 差
@315 MHz @433 MHz
C1 0805 15pF 15pF ±10％
C2 0805 NIP NIP ±10％
C3 0805 1nF 1nF ±10％
C4 0603 NIP 3。3pF ±5％
C5 0603 NIP 3。3pF ±5％
C6 0603 5。6pF 4。7pF ±5％
C7 0603 4。7pF 2。2pF ±5％
C8 0603 NIP NIP ±5％
C9 0805 33nF 33nF ±10％
C10 0603 1nF 1nF ±10％
C11 0603 1nF 1nF ±10％
C12 0603 1。5pF 1。5pF ±5％
C13 0603 680pF 680pF ±10％
CP 0805 10~12pF 10~12pF ±5％
C14 0805 10~47pF 10~47pF ±5％
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·112 · 射频集成电路芯片原理与应用电路设计
续表
数值 数值
符 号 尺 寸 误 差
@315 MHz @433 MHz
C15 0805 10~47pF 10~47pF ±5％
C16 0603 330pF 330pF ±10％
CB1 to CB5 0603 330pF 330pF ±10％
CB7 to CB8
CB6 0805 33nF 33nF ±10％
R1 0805 10kOhm 10kOhm ±10％
R2 0805 390Ohm 390Ohm ±5％
RL1 0805 470Ohm 470Ohm ±5％
RL2 0805 470Ohm 470Ohm ±5％
L1 0603 56nH 33nH ±5％
L2 0603 56nH 33nH ±5％
L3 0603 22nH 15nH ±5％
L_OPT 1006 NIP NIP ±5％
C_OPT 3mm NIP NIP ±5％
R_O 0805 NIP NIP ±5％
C_RO 0805 330pF 330pF ±5％
XTAL HC49 20。35625 MHz 26。43125MHz ±25ppm 校准
SMD @RF=315MHz @RF=433。6MHz ±30ppm 温度
SAWFIL QCC8C B3555 ±100kHz
（f 0=433。92MHz） B3dB=860kHz
B3551 ±175kHz
（f 0=315。00MHz） B3dB=900kHz
CERFIL Leaded SFE10。7MFP SFE10。7MFP TBD
Type @BIF2=40kHz @BIF2=40kHz
SMD SFECV10。7MJS…A SFECV10。7MJS…A ±40 kHz
@BIF2=150kHz @BIF2=150kHz
Type
CERRES SMD type CDACV10。7MG18…A CDACV10。7MG18…A
Murata Murata
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第2 章 射频接收器芯片原理与应用电路设计 ·113 ·
图2。3。4 （a ） FM 接收电路
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·114 · 射频集成电路芯片原理与应用电路设计
图2。3。4 （b ） FM 电路元器件布局与印制板图
表2。3。5 FM 接收电路元器件参数
数值 数值
符号 尺寸 误差
@315MHz @433MHz
C1 0805 15pF 15pF ±10％
C2 0805 NIP NIP ±10％
C3 0805 1nf 1nF ±10％
C4 0603 NIP 3。3pF ±5％
C5 0603 NIP 3。3pF ±5％
C6 0603 5。6pF 4。7pF ±5％
C7 0603 4。7pF 2。2pF ±5％
C8 0603 NIP NIP ±5％
C9 0805 33nF
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