电子电路大全(PDF格式)-第86部分

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　　　20　　　　　　CLKIN　　　　　　　　编程时钟输入　　　　　　　　　　　　　　　　42　　　　　　ICHC　　　　　　　　I　信道放大器电容　　



　　　21　　　　　　REGIN　　　　　　　　编程数据输入　　　　　　　　　　　　　　　　43　　　　　　QCHC　　　　　　　　Q　信道放大器电容　　



　　　22　　　　　　DIGVDD　　　　　　　数字电路电源　　　　　　　　　　　　　　　　44　　　　　　VB_IP　　　　　　　滤波器电阻　　



　　　　　3。1。4　　　　　内部结构与工作原理　　



　　　　MICRF501　　的内部结构如图3。1。2　所示。芯片内部包含有：接收部分、发射部分和控制接口　

　（Control　Interface　）部分。接收部分包含有低噪声放大器（LNA　）、混频器、RC　滤波器（RC　Filters　）、　

解调器（Demod　）、RSSI　等电路。发射部分包含有功率放大器（PA　）、预置比例分频器（Prescaler　）、　

A　计数器（A　counter　）、N　计数器（N　counter　）、M　计数器（M　counter　）、压控振荡器（VCO　）、　

相位检波器（Phase　Detector　）、充电泵（Charge　Pump　）、晶体振荡器（XCO　）等电路。　　

　　　　　发射器由PLL　频率合成器和功放组成。频率合成器由压控振荡器（VCO　）、晶体振荡器、　

双模前置比例器、可编程分频器和相位检波器组成。环路滤波器由外部电路组成。VCO　是一　

个需要外接谐振器和可变电抗器的Colpitts　振荡器，FSK　调制到VCO　。合成器含有三个不同　

分频系数的N　、M　　和A　　分频器。FSK　　调制通过两种分频器之间的切换来实现。N　、M　　和A　

寄存器的长度分别为12、10　和6　位。FSK　调制的数据从DATAIXO　引脚端输入。功放的输出　

功率可通过编程分成8　级。当PLL　锁定时，锁定检测电路工作。　　

　　　　　在接收模式，PLL　合成器产生本振振荡（LO　）信号。N　、M　和A　的值给出的本振振荡频　

率被分别存储在NO　、MO　和AO　寄存器中。接收器是零中频结构，以便能使用低功耗的集成　

低通滤波器作为通道滤波器。接收装置的低噪声放大器（LNA　）驱动正交混频器。混频器输　



　　


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　·156　·　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　射频集成电路芯片原理与应用电路设计　　



出馈送至两路相同的相位积分信道。每条信道包括前置放大器、三阶Sallen…Key　　RC　低通滤　

波器和限幅器。主要的信道滤波器总电容最小时必须要能满足电路的选择性和动态范围。　

Sallen…Key　　RC　滤波器能通过编程划分成四个不同的截止频率：10kHz、30kHz　、60kHz　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　和　

200kHz　。外围电阻可以调整滤波器的截止频率。解调器解调I　和Q　信道的输出，并产生一个　

数字信号输出。检测I　和Q　信道信号的相对相位，如果I　信道落后于Q　信道，FSK　调制频率　

位于本振振荡频率之上（数据“1”）。如果I　信道信号超前Q　信道，FSK　调制频率刚位于本　

振振荡频率之下（数据“0　”）。接收器的输出从DATAIXO　脚输出。RSSI　　（接收信号强度指示　

器）电路显示收到的信号强度级别。两端串行接口用于编程电路。外围元件是　RF　　输入输出　

阻抗匹配和功率衰减所必需的。外围元件有：VCO　谐振电路、晶体、反馈电容和VCO　的FSK　

的调制元件、回路滤波器、功放和滤波器的偏置电阻。TX/RX　转换则通过二极管实现。　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　图3。1。2　　　　MICRF501　的内部结构　　



　　　　3。1。5　　　　应用电路设计　　



　　　　MICRF501　的应用电路例如图3。1。3　所示，电路工作频率为434MHz　。电路中收发器调制　

加到　VCO　，VCO　　　　　　　和外围元件工作于　434MHz　，电感和电容必须有好的高频特性。　

MA4ST…350…1141　是MACON　制造的一个专用变容二极管，二极管BAR63　是西门子公司产品。　

应用电路的元器件参数如表3。1。3　所示。　　



　　


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第3　章　　　　射频收发器芯片原理与应用电路设计　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　·157　·　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　



　　


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　·158　·　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　射频集成电路芯片原理与应用电路设计　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　表3。1。3　　　　电路中元器件参数　　



　　　　　　　符号　　　　　　　　　　　　　　　　数值　　　　　　　　　　　　　　　　　　符号　　　　　　　　　　　　　　　　　　数值　　　　　　　　　　　　　　　　　符号　　　　　　　　　　　　　　　　　　数值　　



　　　　　　　　R1　　　　　　　　　　　　　　　　10Ohm　　　　　　　　　　　　　　　　　C6　　　　　　　　　　　　　　　　100pF　　　　　　　　　　　　　　　C25　　　　　　　　　　　　　　　　470pF　　



　　　　　　　　R2　　　　　　　　　　　　　　　　10Ohm　　　　　　　　　　　　　　　　　C7　　　　　　　　　　　　　　　　4。7nF　　　　　　　　　　　　　　　C26　　　　　　　　　　　　　　　　　10nF　　



　　　　　　　　R3　　　　　　　　　　　　　　　　10Ohm　　　　　　　　　　　　　　　　　C8　　　　　　　　　　　　　　　　4。7nF　　　　　　　　　　　　　　　C27　　　　　　　　　　　　　　　　　22pF　　



　　　　　　　　R4　　　　　　　　　　　　　　　　10Ohm　　　　　　　　　　　　　　　　　C9　　　　　　　　　　　　　　　　　1nF　　　　　　　　　　　　　　　　C28　　　　　　　　　　　　　　　　8。2pF　　



　　　　　　　　R5　　　　　　　　　　　　　　　　10Ohm　　　　　　　　　　　　　　　　C10　　　　　　　　　　　　　　　　　1nF　　　　　　　　　　　　　　　　C29　　　　　　　　　　　　　　　　　18pF　　



　　　　　　　　R6　　　　　　　　　　　　　　　8。2kOhm　　　　　　　　　　　　　　　C11　　　　　　　　　　　　　　　　　1nF　　　　　　　　　　　　　　　　C30　　　　　　　　　　　　　　　　100pF　　



　　　　　　　　R7　　　　　　　　　　　　　　　3。6kOhm　　　　　　　　　　　　　　　C12　　　　　　　　　　　　　　　　　1nF　　　　　　　　　　　　　　　　C31　　　　　　　　　　　　　　　　　18pF　　



　　　　　　　　R8　　　　　　　　　　　　　　　47kOhm　　　　　　　　　　　　　　　　C13　　　　　　　　　　　　　　　　5。6pF　　　　　　　　　　　　　　　C32　　　　　　　　　　　　　　　　5。6pF　　



　　　　　　　　R9　　　　　　　　　　　　　　　6。2kOhm　　　　　　　　　　　　　　　C14　　　　　　　　　　　　　　3pF~10pF　　　　　　　　　　　　　　C33　　　　　　　　　　　　　　　　6。8pF　　



　　　　　　　R10　　　　　　　　　　　　　　　8。2kOhm　　　　　　　　　　　　　　　C15　　　　　　　　　　　　　　　　6。8nF　　　　　　　　　　　　　　　C34　　　　　　　　　　　　　　　　100pF　　



　　　　　　　R11　　　　　　　　　　　　　　　150kOhm　　　　　　　　　　　　　　　C16　　　　　　　　　　　　　　　　100nF　　　　　　　　　　　　　　　　L1　　　　　　　　　　　　　　　　39nH　　



　　　　　　　R12　　　　　　　　　　　　　　　1。5kOhm　　　　　　　　　　　　　　　C17　　　　　　　　　　　　　　　　470pF　　　　　　　　　　　　　　　　L2　　　　　　　　　　　　　　　　15nH　　



　　　　　　　R13　　　　　　　　　　　　　　　270kOhm　　　　　　　　　　　　　　　C18　　　　　　　　　　　　　　　　100nF　　　　　　　　　　　　　　　　L3　　　　　　　　　　　　　　　　39nH　　



　　　　　　　R14　　　　　　　　　　　　　　　1。5kOhm　　　　　　　　　　　　　　　C19　　　　　　　　　　　　　　　　470pF　　　　　　　　　　　　　　　　L4　　　　　　　　　　　　　　　　39nH　　



　　　　　　　R15　　　　　　　　　　　　　　　3。6kOhm　　　　　　　　　　　　　　　C20　　　　　　　　　　　　　　3pF~10pF　　　　　　　　　　　　　　　L5　　　　　　　　　　　　　　　　100nH　　



　　　　　　　　C1　　　　　　　　　　　　　　　　1nF　　　　　　　　　　　　　　　　C21　　　　　　　　　　　　　　　　8。2pF　　　　　　　　　　　　　　　　D1　　　　　　　　　　　MA4ST…350…1141　　



　　　　　　　　C2　　　　　　　　　　　　　　　100pF　　　　　　　　　　　　　　　C22　　　　　　　　　　　　　　　　　22pF　　　　　　　　　　　　　　　　D2　　　　　　　　　　　　　　　　BAR63　　



　　　　　　　　C4　　　　　　　　　　　　　　　100pF　　　　　　　　　　　　　　　C23　　　　　　　　　　　　　　　　　1nF　　　　　　　　　　　　　　　　　D3　　　　　　　　　　　　　　　　BAR63　　



　　　　　　　　C5　　　　　　　　　　　　　　　100pF　　　　　　　　　　　　　　　C24　　　　　　　　　　　　　　　　　1nF　　　　　　　　　　　　　　　　晶体　　　　　　　　　　　　　　　　　10MHz　　



　　　　　　　　

　　　　　　VCO　和PLL　部分：频率合成器包含一个VCO　、晶体振荡器、双模计数器、分频器、相　

位检波器电路、充电泵、锁定检测电路和一个外部回路滤波器。双模预置比例分频器把VCO　

频率分为32/33　。这个模式被A　分频器控制，有M　、N　两种设置。在发射模式时，FSK　能够　

通过开关在这两种设置之间选择。相位检波器是一个最小相位噪声的频率/相位检波器。　　

　　　　　　压控振荡器（VCO　）的电路原理图和外围元件如图3。1。4　所示。VCO　是一个基本的Colpitts　

振荡器，含有一个外部谐振器和一个可变电感，谐振器由一个电感L1　、电容C13　和C14，以　

及芯片内部电容和变容二极管的可变电容串联组成。变容二极管（D1　）的可变电容随着输入　

电压的增加而减少。VCO　频率将随着输入电压的增加而增加。VCO　呈正增加（MHz/V　）。VCO　

频率随着电容C14　　的改变而变化，如果电容C13　　的值变得太小，VCO　　的信号振幅将减少，　

从而导致输出功率的降低。VCO　的印制板布局设计是非常关键的，外围元件要尽可能靠近输　

入引脚（6　脚）。地线通孔应靠近元件焊盘。　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　图3。1。4　　　　压控振荡器（VCO　）电路　　



　　


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　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　第3　章　　　　射频收发器芯片原理与应用电路设计　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　·159　·　



　　　　晶体振荡器的晶振是RF　输出频率的基准，就像接收器中的本机振荡（LO　）频率一样。　

晶振是一个非常关键的部分，要求具有很好的相位和频率稳定性。晶体振荡器电路的原理图　

如图3。1。5　所示。　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　图3。1。5　　　　晶体振荡器电路　　



　　　　晶体振荡器通过调节可变电容C20　改变谐振频率。RF　频率漂移与晶振的频率漂移一致，　



　　　　…6　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　…6　

为10　　　级。调谐的射频频率与频率漂移两者差用f　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（10　）表示：　　

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　f　　（10…6　）　=ST　　×T　＋n　×t　　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　…6　

式中，ST　是振荡频率的总温度系数（晶体和元件）（单位：10　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　℃）；T　是晶体谐振时的相对　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　…6　

室温的变化量；n　是老化系数（单位：10　　　　　　　　　　　　　　　　/年）；t　是收发器自上次调谐以来经过的时间。　　

　　　　当f　　（Hz）　=f　　（10…6　）　×f　RF　比FSK　频偏大时，解调器将不能译码数据。要获得小的频偏，　



晶体要预老化且要有小的温度系数。电路中采用10MHz　晶振，其他频率的晶振也可以使用。　　

　　　　无源元件C101、C102　和R101　与内部的MOSFET　并联，对于FSK　调制是必需的，可以　

改变晶振的频率。如果发射逻辑1，MOSFET　截止，振荡器电路将振荡在高的频率（C101、　

C102　与C20～C22　串联）。发射逻辑0，MOSFET　导通，振荡器电路将振荡在低的频率（C101、　

C102　接地）。　　

　　　　晶体振荡器的启动时间是毫秒级。为了降低功耗，MICRF501　　电路设计XCO　　电路在其他　

电路模块开启之前启动。XCO　振幅达到足够的高度后去触发M　计数器，在M　计数器计数并　

输出两个脉冲后，其余的电路启动。在准备启动期间电路的电流消耗大约为300uA。　　

　　　　MICR501　芯片中有一个锁定检测部分以指示PLL　是否锁定，引脚端　15　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（LOCKDET　）　

呈逻辑高电平时表示PLL　锁定。　　

　　　　相位检测输出被转换成电压，经连接在　14　脚（LDC　）的外接电容C23　滤波，产生的直　

流电压与位Ref0　Ref5　设置相比较的基准窗口。Ref0　Ref5=1　基准窗口在0V，Ref0　Ref5=0　

基准窗口的直流电压最大，基准窗口能在两者之间线性步进上升或下降。窗口的大小等效为　

2　个（Ref6=1　）基准台阶或4　个（Ref6=0　）基准台阶。　　

　　　　随着环境温度的变化，带来回路滤波器和可变电容器参数的微小变化，将影响通信锁　

定位置的改变。锁定检测电路需要通过软件定期校准以得到正确且锁定的位置设置，利用　

Ref0　Ref5　位的组合来实现。根据基准窗口的大小，有若干位将显示锁定状态。例如，一个　



　　


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　·160　·　　　　　　　　　　　　　　　射频集成电路芯片原理与应用电路设计　　



大的基准窗口，差不多要5　位组合才能使锁定检测器显示锁定状态，如存在最大的干扰，第　

三设置位应被选择。　　

　　　充电泵能被编程用两种电流（±125uA　和±500uA　）工作于四种不同的状态。在控制字的　

70　位和71　位（cpmp1　和cpmp0　）实现编程控制。四种模式如下：　　

　　　z　cpmp1=0，cpmp0=0　电流为恒量　　±125uA　，应用于不重要的场合。　　

　　　z　cpmp1=0，cpmp0=1　电流为恒量　　±500uA　，应用于重要的场合。例如：内部调制器，　

　　　　　见“内部调制PLL　部分”。　　

　　　z　cpmp1=1，cpmp0=0　当PLL　未锁时电流为　　±500uA　；当PLL　锁定时电流为　　±125uA　，　

　　　　　通过LOCKDET　　　（15　脚）控制，锁定时间减半。见“外PLL　调制”。　　

　　　z　cpmp1=1，cpmp0=1　与TX　一样，当使用双回路滤波器时，RX　的电流是　　±500uA　。见　

　　　　　　“外调制PLL　双回路滤波器”部分。　　

　　　VCO　和XCO　两个电路部分需要调谐。VCO　调谐：调节VCO　中的微调电容直到PLL　锁　

定且充电泵输出电压（回路滤波电压）在电源电压的中间点。　　

　　　当使用VCO　调制时，VCO　的增益特性曲线是非线性的，并且曲线随着回路电压而变化，　

这意味着FSK　频偏也是随着回路电压而变化。　　

　　　当使用内部调制时，只要VCO　提供足够大范围允许PLL　去处理过程参数和温度在未锁　

定时变化，VCO　调谐就可以省略。　　

　　　XCO　调谐：可调整晶体振荡器电路中的微调电容，使振荡器频率调到需要的精确接收频　

率。调谐不可能调节覆盖很大的频率范围。为获得非常接近精确频率的RF　频率所对应的值，　

N　、M　和A　必须认真选择。　　

　　　FSK　调制：电路分频器有A0　、N0　、M0　和A1　、N1　、M1　两组设置，分频器通过控制字　

编程控制。A0　、N0　、M0　编程接收频率和用于接收模式。实现FSK　调制有三种方法：　　

　　　方法一，使用VCO　实现FSK　调制，对应的发射频率将被编程在分频器A1　、N1　和M1　

中，在TX　模式，DATAIXO　端保持在三态，直到开始发射数据。　　

　　　方法二，FSK　调制通过开关在A　、N　和M　分频器两组之间实现，A　、N　和M　值对应到　

接收频率和两发射频率。发射数据“0　”时将编程分频器A0　、N0　　和　M0　；发射数据“1”时　

将编程分频器A1　、N1　和M1　。　　

　　　方法三，FSK　调制通过加/减　1　到分频器A1　，频偏将与比较频率相等，发射频率的校准　

通过编程A1　、N1　和M1　实现。　　

　　　所有类型的FSK　调制，数据都从引脚端DATAIXO　进入。　　

　　　设计回路滤波器时，选用器件对优化参数是很重要的，如调制速率、PLL　锁定时间、带　

宽和相位噪声。低位率允许调制在PLL　　内，回路将锁定在不同的频率上，这能通过开关分频　

器（M　、N　和A　）实现。高调制率（超过2400b/s　）靠PLL　外调制来实现。直接加到VCO　实　

现。回路滤波器的值能通过软件编程。　　

　　　PLL　　内部调制：快速的PLL　要求回路滤波器有一个高的带宽。选用二阶回路滤波器，不　

能使比较频率有足够的衰减。一般选用三阶回路滤波器。例如：　　

　　　射频频率f　RF　为434MHz　，比较频率f　C　为　100kHz，回路带宽BW　　为4。3kHz　，VCO　增益　

Ko　为28MHz/V　，相位比较器增益Kd　为500uA/rad　，相位极限j　　为62°，抑制比A　为20dB　。回　

路滤波器电路如图3。1。6　所示，使用这个回路滤波器，内部调制速率可以一直到2400b/s，PLL　



　　


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　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　第3　章　　　　射频收发器芯片原理与应用电路设计　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　·161　·　



锁定时间从省电模式到RX　需要约1ms　时间。　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　图3。1。6　　　　三阶回路滤波器　　



　　　　PLL　外部调制：当调制被加到PLL　外部电路时，意味着PLL　将不能跟踪调制信号在回　

路中的变化，因此一个相对较低带宽的回路滤波器是必需的。要求的带宽取决于实际的调制　

率。因为回路带宽将比比较频率显著地低，二阶环滤波器通常能获得比较频率足够的衰减。　

通过二阶环滤波器也能获得需要的衰减。例如：　　

　　　　射频频率f　RF　为434MHz　，比较频率f　C　为140kHz，回路带宽BW　为1。03kHz，VCO　增益　

Ko　为28MHz/V　，相位比较器增益Kd　为125uA/rad　，相位极限j　　　　　　　　　　　　　　为62°。回路滤波器电路如图　

3。1。7　所示。　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　图3。1。7　　　　二阶回路滤波器　　



　　　　图3。1。7　　回路滤波器在数据传输速率超过　19200　波特（包括曼彻斯特码）时使用，PLL　

锁定时间约为4ms　。　　

　　　　希望较快的PLL　锁定时间，充电泵可以制作成每单位相位差释放　500uA　　的电流，芯片　

上NMOS　管漏极开路（引脚端10）接到两阻尼电阻（R10　，R9　）到地，如图3。1。8　所示，一　

旦锁定在正确的频率上，PLL　　　　　　　　　　　　自动返回到标准低噪声操作（充电泵电流：125uA/rad）。如果　

校准设置在控制字中反映出来（cpmp1=1，cpmp0=0　），快速锁定特征是有效的，通过在回路　

中的参数来减少PLL　锁定时间。　　

　　　　如果FSK　调制加到VCO　，元件C17、C18、C19、R11　、R12　和R13　　（见应用电路图）是　

必须的。当是一个电流输出时，数据在DATAIXO　脚输入，然后反馈到MOD　脚（11　脚）。当　

逻辑“1”输入在DATAIXO　　引脚端和逻辑“0　”进入漏极时，该引脚端为一个50uA　　的电流　

源。电容C17　为滤波基带信号而设置，如是电容大，将获得一个慢上升沿的基带滤波信号；　

如果电容小，将获得高速上升沿信号，也能得到更宽广的频谱，电阻R11　和R12　决定频偏。　

如果C18　比C17　大则频偏将大，R13　较大用于消除回路滤波器的影响。在TX　模式，直到开　

始发送数据时，引脚端DATAIXO　必须保持三态。　　

　　　　PLL　外部调制需要一个相对调制率而言较低带宽的回路滤波器。这将导致一个相对长的　

回路锁定时间。在实际应用中，这种调制被加到VCO　，实现从节能模式到接收模式，需要在　

短的时间里启动双回路滤波器。　　



　　


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　·162　·　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　射频集成电路芯片原理与应用电路设计　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　



　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　图3。1。8　　　　双回路滤波器　　



　　　　工作于发射模式回路滤波器由C15、C16、R9　和R10　组成。包括快锁特性。（快锁特性　

可控制NMOS　），这个滤波器是通过引脚端（QCHOUT　）的内部NMOS　　自动开关控制输入输　

出的。它被DFC　（双滤波器控制）控制。位OutS2、OutS1、OutS0　必须设置为110。当QCHOUT　

使用开关将