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电子电路大全(PDF格式)-第90部分
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HC49 ±30ppm 校准
XTAL 7。1505MHz 7。1505MHz
SMD ±30ppm 温度
SFE10。7MFP@ SFE10。7MFP@
Leaded 型 TBD
BIF2=40kHz BIF2=40kHz
CERFIL
SFECV10。7MJS…A SFECV10。7MJS…A
SMD 型 ±40kHz
@BIF2=150kHz @BIF2=150kHz
CERRES SMD 型 CDACV10。7MG18…A CDACV10。7MG18…A
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第3 章 射频收发器芯片原理与应用电路设计 ·179 ·
图3。2。6 （a ） ASK 应用电路
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·180 · 射频集成电路芯片原理与应用电路设计
印制板尺寸：40mm×51mm
图3。2。6 （b ） 元器件布局和印制板图
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第3 章 射频收发器芯片原理与应用电路设计 ·181 ·
表3。2。7 ASK 应用电路元器件参数
数值 数值
符号 尺寸 误差
@433。92MHz @868。3MHz
C1 0603 5。6pF NIP ±5％
C2 0603 1pF 1。5pF ±5％
C3 0805 10nF 10nF ±10％
C5 0805 330pF 330pF ±10％
CB0 0805 100nF 100nF ±10％
CB1 0803 330pF 330pF ±10％
CB2 0805 330pF 330pF ±10％
CB5 0603 330pF 330pF ±10％
CB6 0603 330pF 47pF ±10％
CB7 0603 330pF 330pF ±10％
CF1 0805 330pF 330pF ±5％
CF2 0805 68pF 82pF ±5％
CX1 0805 15pF 15pF ±5％
CRX0 0603 100pF 100pF ±5％
CRX1 0805 NIP NIP ±5％
CRX2 0805 8。2pF 3。3pF ±5％
CTX0 0603 3。3pF 2。2pF ±5％
CTX1 0805 1pF NIP ±5％
CTX2 0805 4。7pF 4。7pF ±5％
CTX3 0805 NIP 0。47pF ±5％
CS1 to CS3 0805 22pF 22pF ±10％
RF 0805 62 kOhm 56kOhm ±5％
RPS 0805 33 kOhm 33kOhm ±5％
RS1 to RS3 0805 10 kOhm 10kOhm ±10％
L0 0805 22nH 2。7nH ±5％
L1 0603 15nH 10nH ±5％
LRX1 0805 18nH 8。2nH ±5％
LTX0 0805 220nH 82nH ±5％
LTX1 0805 56nH 12nH ±5％
HC49 ±30ppm 校准
XTAL 7。1505MHz 7。1505MHz
SMD ±30ppm 温度
SFE10。7MFP@ SFE10。7MFP@
Leaded 型 TBD
BIF2=40kHz BIF2=40kHz
CERFIL
SFECV10。7MJS…A SFECV10。7MJS…A
SMD 型 ±40kHz
@BIF2=150kHz @BIF2=150kHz
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·182 · 射频集成电路芯片原理与应用电路设计
图3。2。7 TX 和RX 耦合网络
表3。2。8 TX 和RX 耦合网络元器件参数
数值 数值 数值 数值
符号 尺寸
@315。0MHz @433。92MHz @868。3MHz @915MHz
CTX0 0603 10pF 10pF 10pF 10pF
CTX1 0805 10pF NIP NIP NIP
CTX2 0805 18pF 2。2pF 3。9pF TBD
CTX3 0805 TBD 1。0pF TBD TBD
CRX0 0603 100pF 100pF 100pF 100pF
CRX1 0805 NIP NIP NIP NIP
CRX2 0805 TBD 3。3pF TBD TBD
LTX0 0805 150nH 150nH 82nH TBD
LTX1 0805 TBD 33nH TBD TBD
LRX1 0805 27nH 18nH 8。2nH TBD
LRX2 0805 TBD 10nH TBD TBD
3。3 OOK/ASK 868。35 MHz 收发器芯片TR1001 的
原理与应用电路设计
3。3。1 概述
TR1001 是一个单片OOK/ASK 收发器芯片，工作频率为868。15MHz～868。55MHz，可接
收和发射数字 OOK/ASK 信号，OOK 数据传输速率可达 19。2kb/s，ASK 数据传输速率可达
115。2kb/s，接收灵敏度为…95dBm 。电源电压为 2。7V～3。5V，接收模式工作电流为 1。8mA，
发射模式输出功率为 1。25mW，工作电流为 12mA，睡眠模式电流为 5uA ，睡眠模式转换到
接收模式时间为20us，发射模式转换到接收模式时间为20us，接收模式转换到发射模式时间
为12us，工作温度范围为…40 ℃～＋85 ℃。符合ETSI I…ETS 300 220 规范要求以及类似标准，
适合高稳定、小尺寸、低功耗、低价格的短距离无线数据通信和无线控制应用。
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第3 章 射频收发器芯片原理与应用电路设计 ·183 ·
3。3。2 主要技术指标
TR1001 的主要技术指标如表3。3。1 所示。
表3。3。1 TR1001 的主要技术指标
参数 最小值 典型值 最大值 单位
工作频率 868。15 868。35 868。55 MHz
调制类型 OOK/ASK
OOK 19。2 kb/s
数据速率
ASK 115。2 kb/s
接收灵敏度 …85 …95 dBm
接收器性能 抑制±30MHz 55 dB
输入电流（3V ） 1。8 4。8 mA
输出功率 0。75 mW
输入电流（3V ） 12 mA
发射器性能
OOK 导通/关断时间 12/6 us
ASK 输出上升/下降时间 1。1/1。1 us
发射到接收开关时间 200 us
接收到发射开关时间 12 us
电源电压 2。7 3。5 V
睡眠模式电流消耗 5 uA
工作温度 …40 ＋85 ℃
3。3。3 芯片封装及引脚功能
TR1001 采用SM－20H 封装，如图3。3。1 所示。各引脚功能介绍如下。
图3。3。1 TR1001 引脚封装形式
引脚1：GND1，RF 地。GND2 与GND3 采用短的、低阻抗的导线相连到GND1 。
引脚2 ：VCC1 ，发射机输出放大器和接收机基带电路电源。通过RF 铁氧体磁芯与电源
相连，电源端连接一个旁路电容。
引脚3 ：AGCCAP ，这个引脚端控制AGC 复位操作。连接AGC 复位电容到地设置AGC
的最小控制时间。电容使用误差在±10％范围的陶瓷电容器。电容是为了防止AGC “颤动”
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·184 · 射频集成电路芯片原理与应用电路设计
设置，其值为：
CAGC = 19。1tAGC
式中，tAGC 的单位是us，CAGC 的单位是pF 。由上式给出的CAGC 值可以使抑制时间控制在tAGC ～
2。65tAGC 之间，取决于工作电压和温度等因素。AGC 抑制时间会远大于峰值检波器时间。但
是AGC 的抑制时间不应太长，否则AGC 遇到噪声或干扰信号时接收机回到最高灵敏度会很
慢。当用至少30us 的数据脉冲进行OOK 调制时，AGC 的使用具有选择性。AGC 的操作可
由连接至VCC 而停止工作。激活或停止AGC 操作则需要少于30us 数据脉冲的ASK 调制。
如用一个150kOhm 接地电阻取代此电容，AGC 将停止工作。AGC 操作需峰值滤波器起作用。
在接收机的低功耗（睡眠状态）和发射模式，AGC 峰值滤波器电容会进行放电。
引脚4 ：PKDET ，峰值检波器电容。此处应使用误差在±10％范围内的陶瓷电容器。这
个接地电容以 ：
1 1000 的速率设置峰值检波器冲击和衰减时间。在大多数应用中，这些时间常
量应与基带时间常量一致。给定一个基带电容CBBO ，峰值检波器电容值为：
CPKD=0。33CBBO （pF ）
时间常量随电源电压、温度等因素的变化在tPKA ～1。5tPKA 之间变化。电容由200Ohm的阻抗冲击，
通过200kOhm 的负载衰减。峰值检波器驱动数据峰值限制器和AGC 释放功能。AGC 的抑制时
间在AGC 电容作用下可以大于峰值滤波器的衰减时间。在低数据速率和OOK 调制，可以选
择数据峰值限制限制器和AGC 。PKDET 和THLD2 可以不连接，AGC 脚接至VCC 以减少外
部元件的数量。峰值滤波器电容在接收机低功耗（睡眠状态）和发射状态是放电的。
引脚5：BBOUT ，基带输出。使用陶瓷电容器接在BBOUT 与CMPIN 间。这个引脚通
过一个为内部数据限制器工作
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