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电子电路大全(PDF格式)-第93部分
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引脚2 ：BUSMODE ，总线模式选择。
引脚3 ：LF ，回路滤波器和VCO 控制电压
引脚4 ：ASK/FSK ，FSK/ASK 模式转换输入。
引脚5：RX/TX ，RX/TX 模式转换输入、输出。
引脚6 ：LNI ，射频输入到差动低噪声放大器LNA 。
引脚7 ：LNIx ，射频输入到差动低噪声放大器LNA 。
引脚8：GND1，LNA 和功率放大器驱动器级地。
引脚9 ：GNDPA，功率放大器输出级地。
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·196 · 射频集成电路芯片原理与应用电路设计
图3。4。1 TDA5250 引脚封装形式
引脚10：PA；功率放大器输出级。
引脚11：VCC1 ，PA 和LNA 电源。
引脚12：PND ，负的峰值检波器输出。
引脚13：PDP ，负的峰值检波器输出。
引脚14：SLC，数据限幅器限幅电平。
引脚15：VDD ，数字部分电源。
引脚16：BUSDATA ，总线数据/输入输出。
引脚17：BUSCLK ，总线时钟输入。
引脚18：VSS ，数字部分地。见第8 脚。
引脚19：XOUT ，晶体振荡器输出，也能够作为外部基准频率输入。
引脚20 ：XSWF ，FSK 调制开关。
引脚21 ：XIN ，见引脚20 。
引脚22 ：XSWA ，ASK 调制/FSK 中心频率。
引脚23 ：XGND ，见引脚22 ，晶体振荡器地。
引脚24 ：EN ，3 线使能输入。
引脚25 ：RESET ，整个系统复位（到默认值），低电平有效。
引脚26 ：CLKDIV，时钟输出。
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第3 章 射频收发器芯片原理与应用电路设计 ·197 ·
引脚27 ：PWDDD ，低功耗控制输入（高电平有效），数据检测输出（低电平有效）。
引脚28 ：DATA ，发射数据输入，接收数据输出（接收低功耗模式，引脚端28 接地）。
引脚29 ：RSSI ，RSSI 输出。
引脚30 ：GND，见引脚8，模拟地。
引脚31 ：CQ2x，外接电容端，Q 通道，2 级。
引脚32 ：CQ2，Q 通道，2 级。
引脚33 ：CI2x，I 通道，2 级。
引脚34 ：CI2，I 通道，2 级。
引脚35 ：CQ1x，Q 通道，1 级。
引脚36 ：CQ1，Q 通道，1 级。
引脚37 ：CI1x，I 通道，1 级。
引脚38 ：CI1，I 通道，1 级。
3。4。4 内部结构与工作原理
TDA5250 内部结构如图3。4。2 所示。TDA5250 内部包含有3 部分电路：控制逻辑部分、
发射电路部分和接收电路部分。具体有控制接口、基准电源、ADC 、数据限幅器、数据滤波
器、I/Q 正交相关器、PLL 回路、混频器、LNA 、功率放大器等电路。
功率放大器PA 是工作在受控C 模式，能够工作在低的和高的功率放大模式。使用相同
的匹配网络，在高功率模式，发射功率大约是＋13dBm （电源电压5V，天线50Ohm；在2。1V 电
源电压时为＋4dBm ）。在低功率模式，发射功率大约是…7dBm （电源电压5V，天线50Ohm；在
2。1V 电源电压时为…32dBm ）。
发射功率通过CONFIG 寄存器的D0 位控制，如表3。4。2 所示。默认的输出功率模式是高
功率模式。
表3。4。2 发射功率通过CONFIG 寄存器的D0 位控制
位 功能 描述 默认值
DO PA_PWR 0=低发射功率； 1=高发射功率 1
在 ASK 调制模式，功率放大器由发射的基带数据控制完全导通或者关断，100％ OOK
方式。
低噪声放大器（LNA ）是共发…共基放大器，电压增益为 15～20dB，对称输入。通过逻
辑控制可以减少到0dB 。表3。4。3 描述了LNA 受D4 控制的情况。
表3。4。3 LNA 增益通过CONFIG 寄存器的D4 位控制
位 功能 描述 默认值
D4 LNA_GAIN 0=低增益； 1=高增益 1
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·198 · 射频集成电路芯片原理与应用电路设计
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第3 章 射频收发器芯片原理与应用电路设计 ·199 ·
第1级下变换器：双平衡混频器输入频率范围为868 MHz～870 MHz，转换为中频290MHz 。
本机振荡器频率由 PLL 合成器产生。PLL 合成器完全集成在芯片上。在接收模式，本振工作
频率是1157MHz，中频IF 为290MHz 。混频器后接截止频率为350MHz 的低通滤波器。
第2 级下变换器：低通滤波器输出到I/Q 混频器，I/Q 混频器转换289MHz IF 信号到零
中频。两个混频器的驱动信号由本机振荡器信号除4 后产生，等于IF 频率。
PLL 合成器由两个VCO （发射和接收VCO ）、4 分频器、鉴相器、回路滤波器等组成，
完全集成在芯片上。VCO 包含螺旋电感和变容二极管。发射VCO 的中心频率是868MHz，
接收VCO 的中心频率是1 156 MHz。在接收模式，本机振荡器频率与接收器的射频RF 频率
f RF 和IF 频率f IF 相关，加到I/Q 混频器的频率由下式决定：
f osc =4 / 3f RF =4f lF
标准的晶体振荡器频率是18。083MHz。分频率由引脚端RX/TX 和CONFIG 寄存器的D10
位控制。
I/Q 滤波器：I/Q IF 到0 IF HPQ 跟随6 阶基带低通滤波器，用于RF 通道滤波。滤波器的
带宽由滤波器寄存器的数值设置，能够在50kHz～350kHz 按50kHz 进行调节，调节通过LPF
寄存器的D1～D3 设置完成。I/Q 滤波器结构如图3。4。3 所示。
图3。4。3 I/Q 滤波器结构
I/Q 限幅器是DC 耦合的多级放大器，增益为80dB，频率范围为 100Hz～350kHz 。RSSI
包含在两个限幅器中，RSSI 产生与接收信号电平成比例的DC 电压。I 通道和Q 通道的RSSI
信号合成为总的RSSI 信号。
FSK 解调器：I/Q 限幅器的输出差动信号馈送到正交相关器电路解调FSK 信号。解调器
增益2。4mV/kHz 。最大频偏为±300kHz 。解调出的信号加到ASK/FSK 模式开关，连接到数据
滤波器的输入。开关能够由ASK/FSK 引脚端和在CONFIG 寄存器中的D11 位控制。
2 级数据滤波器是Sallen…Key 结构（见图3。4。4 ），完全集成在芯片上。带宽能够通过LPF
寄存器的D4～D7 位，在5kHz～102kHz 之间调节。
图3。4。4 数据滤波器结构
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·200 · 射频集成电路芯片原理与应用电路设计
数据限幅器是一个带宽为100kHz 的快速比较器。通过CONFIG 的D15 控制，自调节阈
值由 RC 网络（LPF ）产生或者取决于峰值检波器在基带编码上的形式。D15=0 选择低通滤
波器，D15=1 选择峰值检波器。
电路使用两个峰值检波器。产生与数据信号相适应的正、负峰值电压，时间常数由外接
的RC 网络决定。
晶体振荡器是NIC （Negative Impedance Converter） 振荡器，晶振工作在串联谐振状态。
标准工作频率是18。083MHz。对于FSK 调制可以通过外接的3 个电容调节。通过微控制器和
总线接口芯片内部的电容可以用来调节标准频率和FSK 调制频率。晶体振荡器的调整可以消
除晶振或者元器件引起的误差。
能隙基准电路为器件提供一个温度稳定的1。2V 基准电压。低功耗模式可以关断所有附加
电路，低功耗模式通过引脚端PwdDD 控制，PwdDD=VDD ，器件工作在低功耗模式；PwdDD=
地/VSS ，器件工作。低功耗模式电源电流是100nA。
2
定时和数据控制单元包含一个唤醒逻辑电路、I C/3 线微控制器接口、数据有效检测、寄
存器结构设置等电路。2
I C/3 线总线接口给微控制器提供完整的控制能力，通过在唤醒逻辑单
元中的状态，可以设置器件工作在3 个不同的模式：被动模式、自检测模式和定时器模式。
详细的描述见厂家的用户手册。
2
TDA5250 提供I C 总线协议和3 线总线协议，可以通过BusMode 引脚端选择，见表3。4。4 。
所有的总线引脚端（
BusData； BusCLK； EN； BusMode ）都有一个施密特整形输入电路。BusData
引脚端是双向的，输出是漏极开路形式。
表3。4。4 总线接口形式
功 能 BusMode EN BusCLK BusData
2
I C 模式 0 “0 ”有效；
时钟输入 数据输入/输出
3 线模式 1 “1”无效
2
I C 总线和3 线总线数据格式的详细描述见厂家的用户手册。
3。4。5 应用电路设计
所设计的应用电路如图3。4。5 和图3。4。6 所示，其元器件参数如表3。4。5 所示。
表3。4。5 TDA5250 应用电路元器件参数
符 号 参 数 型 号 误 差
R1 4。7kOhm 0603 ±5％
R2 10Ohm 0603 ±5％
R3 0603 ±5％
R4 1MOhm 0603 ±5％
R5 4。7kOhm 0603 ±5％
R6 4。7kOhm 0603 ±5％
R7 4。7kOhm 0603 ±5％
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第3 章 射频收发器芯片原理与应用电路设计 ·201 ·
续表
符 号 参 数 型 号 误 差
R8 6。8kOhm 0603 ±5％
R9 180Ohm 0603 ±5％
R10 180Ohm 0603 ±5％
R11 270Ohm 0603 ±5％
R12 15kOhm 0603 ±5％
R13 10kOhm 0603 ±5％
R14 180Ohm 0603 ±5％
R15 180Ohm 0603 ±5％
R16 1MOhm 0603 ±5％
R17 1MOhm 0603 ±5％
R18 1MOhm 0603 ±5％
R19 560Ohm 0603 ±5％
R20 1kOhm 0603 ±5％
R21 10Ohm 0603 ±5％
R22 0 0603 ±5％
R23 10Ohm 0603 ±5％
C1 22pF 0603 ±1％
C2 1pF 0603 ±0。1pF
C3 5。6pF 0603 ±0。1pF
C4 2。2pF 0603 ±0。1pF
C5 1nF 0603 ±5％
C6 1nF 0603 ±5％
C7 15pF 0603 ±1％
C8 0603 ±0。1pF
C9 47pF 0603 ±1％
C10 22pF 0603 ±1％
C11 0603 ±5％
C12 10nF 0603 ±10％
C13 10nF 0603 ±10％
C14 10nF 0603 ±10％
C15 4。7pF 0603 ±0。1pF
C16 1。8pF 0603 ±0。1pF
C17 12pF 0603 ±1％
C18 10nF 0603 ±10％
C19 2。2nF 0603 ±10％
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·202 · 射频集成电路芯片原理与应用电路设计
续表
符 号 参 数 型 号 误 差
C20 47nF 0603 ±10％
C21 47nF 0603 ±10％
C22 47nF 0603 ±10％
C23 47nF 0603 ±10％
C24 100nF 0603 ±10％
C25 100nF 0603 ±10％
C26 0603 ±10％
C27 100nF 0603
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